米国商務省は、マイクロン・テクノロジー（MU.US）との初期協定に合意し、後者に対して「半導体・科学法案」に基づき61.4億ドルの直接資金を提供することになった。
智通财経アプリによると、米国商務省は、マイクロン・テクノロジー（MU.US）との初期協定に合意し、後者に対して「半導体・科学法案」に基づき61.4億ドルの直接資金を提供することになった。
この資金は、ニューヨーク州のクレイに2つのウェハ工場を建設し、アイダホ州ボイシに1つのウェハ工場を建設するために使用され、2030年までに約500億ドルの民間投資を投入し、マイクロンがこれら2つの州で投資する予定の1250億ドルの第一歩として、主導的なメモリ製造エコシステムを確立することを目的としている。
ニューヨークのクレイでは、この資金が計画されている4つのウェハ工場の最初の2つの建設を支援し、これらの工場は先端的なDRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）チップの製造に特化する。工場ごとに、面積は60万平方フィートで、内部は4フィートのクリーンルームで合わせて240万平方フィートの面積になる。これは、アメリカがこれまでに公表した最大のクリーンルームスペースである。
また、この資金はアイダホ州ボイシの大量製造（HVM）工場の開発も支援する。この工場は、同社の既存の先進的な研究開発施設と同じ場所にあり、約60万平方フィートの面積を持ち、1フィートのクリーンルームスペースに特化して、主導的なDRAMチップの製造に取り組む。
マイクロンの半導体製造工場計画により、今後20年以上にわたり約75,000の国内雇用機会が創出される見込みだ。
今日、バイデン大統領は、この資金を発表するためにニューヨークのシラキュースを訪れる予定だ。今日の発表は、「半導体・科学法案」から承認された第7次の初期契約を示しており、この法案はアメリカの半導体製造を促進することを目的としている。
インテル（INTC.US）が最大の資金を獲得し、この法案から85億ドルを獲得した。次いで、台湾積体電路製造（TSM.US）が66億ドルを獲得し、三星が64億ドルを獲得した。