最近、賽晶電力は2023年の業績報告を発表しました。2023年、同社の売上高は約10.5億元に達し、前年同期比15%増加しました。粗利率は32%で、前年同期比4ポイント増加しました。これに影響を受けて、同社の利益水準は逆風に逆らって高い成長を遂げ、親会社の当期純利益は約3155万元で、前年同期比31%増加しました。業績説明会では、同社は2024年の売上高50%増を目指すことを表明しました。
企業の業績の転換点が正式に確立されました。強力な利益成長の背後には、特高圧およびパワー半導体分野での急速な発展があります。
直流送電領域再び突破
同社は陽極飽和反抗器、電力キャパシタなどのデバイス製品を送配電プロジェクトに提供し、主に超高圧直流送電、フレキシブル直流送電プロジェクトをカバーしています。
送配電ビジネスは同社の主力ビジネスであり、基軸となる存在です。2023年、送配電ビジネスの業績は非常に素晴らしいものでした。超高圧プロジェクトの密集的な展開により、同社の直流送電分野の売上高は去年同期比43%増の2.5億元に達しました。
海通証券のリサーチレポートによると、特高圧建設が加速しています。金上-湖北、陇东-山東、哈密-重慶、寧夏-湖南の直流特高圧工程が始まり、2024年には直流特高圧5本、交流特高圧2本が動き出す予定です。国連証券の研究所によると、五カ年計画に基づいて、中国は少なくとも直流特高圧12本を建設する必要があり、投資総額は2400億元以上に達すると予想されています。また、「第15次五カ年計画」に基づいて発表される配電投資計画も計画されています。第15次五カ年計画によると、年間3-4本の直流特高圧が動き出すことが予想され、業界の景気は持続すると考えられています。また、2025年までに接続される計画に基づいて、今後数年間は業界の投資が急速に増加する期間になると予想されています。業界のリーディングカンパニーとして、同社は特高圧プロジェクトが群がる去年の一年間、関連する注文と配達増加を達成し、目覚ましい成長を遂げました。将来を見据えれば、このような高い景気度が続く見通しであり、成長加速を実現するのに大きな機会を提供するでしょう。
特筆すべきことは、2024年初頭、同社が2つの柔軟な直流用電解コンデンサ製品が国家レベルの新製品技術評価を成功裏に受けたことです。このような製品は、量産工程のための準備が整っており、大量生産に向けた準備が整っています。
「柔直」は、柔軟な直流送電技術（VSC-HVDC）を指します。この技術は、伝統的な直流送電技術に基づき、大出力のIGBTを使用し、パルス幅変調技術を使用して電力を変換、転送します。無効力補償能力、支援電源の必要性のない、コミュテーションの失敗がない、柔軟な電力制御などの優れた特徴を持っています。柔軟な直流送電技術は、送電分野における新しい電力電子技術の応用であり、電力電子技術の将来を担うものであり、広い発展空間を持っています。しかし、国海証券の調査結果によると、柔軟な直流送電技術の中で、柔軟な直流換流バルブなどの重要な装置において、電力電子器件に対する外国製品への依存度が高く、核心技術が制限され、国内生産の比率が低いなどの問題が依然として存在しており、国産化が遅れています。赛晶電力が達成したことにより、柔性直流送電の分野で直流支持キャパシタ製品の大量国産化のスピードを加速し、同社に柔性直流送電ビジネスの発展空間を開放する基盤が整いました。
電力半導体分野における国産品置換の中核
電力電子技術分野で急成長するだけでなく、同社の自主開発した高いパワーセミコンダクタ分野でも急速な進展を遂げています。2023年、同社はパワーセミコンダクタのポテンシャルを初めて実現し、同会社の自主開発パワーセミコンダクタ事業の収入は8145万元となり、前年同期比105%増加し、倍写を実現しました！このことからも、半導体ビジネスは同社の第二の成長曲線を形成し、新たな成長領域となっています。
国海証券によると、賽晶電力は先行する技術と影響力のある電力電子器件サプライヤーおよびシステムインテグレーターであり、国際的にリードするイノベーション型企業でもあります。公式の情報によると、賽晶電力のグループ会社である三社が2023年度の浙江省専門、特殊で新しい中小企業の第一批に選出されました。これは、同社の研究開発能力が公式に認められたことを示しています。
注目すべきは、同社がパワーセミコンダクタ分野で数年間、深く取り組んでおり、近年で急成長したことです。
パワーセミコンダクタの発展の歴史を見ると、高パワー、高周波（小型化）、低消費電力が技術の進化方向になります。現在、パワーデバイスには主にパワーダイオード、バイポーラトランジスタ、パワーMOSFET、IGBTが含まれます。MOSFET、IGBTは、パワーデバイスの中で最も重要な製品です。
2020年、賽晶電力は正式にIGBT初の製品をリリースし、翌年には初めてのIGBT生産ラインが完成し、i20 IGBTチップとEDパッケージIGBTモジュールが量産されました。2023年、賽晶電力は1700V IGBTおよびFRDチップ、STパッケージIGBTモジュール、HEEVパッケージSiCモジュール、EVDパッケージIGBTモジュールなど、多数の新製品を発表する予定です。SiCモジュールはカーレギュレーション製品です。さらに、賽晶電力は、単体素子であるSi IGBTとSiC MOSFETを含む1200Vおよび1700Vの多数のシリーズチップおよびモジュールの研究開発を立ち上げ、2024年内に順次発表する予定です。これは、同社がより高度なIGBTに取り組むだけでなく、第3世代の半導体分野にも参入していることを意味しています。
グローバル主要技術水準に従って、SIC MOSFET、IGBTなどのハイエンドデバイスは電力デバイスの中で比較的先端で技術的含有量が高い分野です。このような製品は技術的なハードルが高く、製造工程が複雑であり、そのため、中国全体の産業技術レベルはまだ世界のリーディングレベルとの大きな差があり、パワーセミコンダクターの国産置換の中核的領域であるとされています。明らかに、同社は「国際一流の国産パワーセミコンダクターメーカー」を目標として急速に進んでいます。
賽晶電力の半導体製品は産業化段階に正常に進入し、下流で認められています。2023年に、同社は量産供給の顧客グループが38社に達し、前年同期比で36％増加しました。「売上高の94％は、ハイエンドの新エネルギー発電、蓄電および電気自動車分野に参入するための高い敷居と厳しい品質基準を持つ製品に由来しています。」賽晶電力の経営陣は業績説明会で述べています。
2023年、賽晶電力は製品のレイアウトを改善し、製品の浸透率を高めるだけでなく、引き続き生産能力を拡大し続けます。業績説明会で、賽晶電力の経営陣は2024年に第3のIGBTモジュールおよび最初のSiCモジュールパッケージングラインの建設を加速し、生産ラインが完成した後、より効率的な内部協調と生産開発を行い、新製品および新技術の迅速な登場を加速することができます。将来、同社はハイエンドパワーセミコンダクターを大量生産する新段階に迅速に進むことが期待されています。
2023年の業績報告書は、賽晶電力の業績転換点を確立したことを意味しています。背後にあるのは、同社の送電とパワーセミコンダクターの分野での持続的な発展とイノベーションです。同社が業界で指導的な地位を確立するにつれて、将来的にはより多くの業績成長が実現される可能性があります。