來源：智通財經
分析師警告稱，高帶寬內存(HBM)等高性能存儲芯片今年可能仍將面臨供應緊張局面，因爲人工智能熱潮推動了對這類存儲芯片需求的爆炸性增長。
分析師警告稱，高帶寬內存(HBM)等高性能存儲芯片今年可能仍將面臨供應緊張局面，因爲人工智能熱潮推動了對這類存儲芯片需求的爆炸性增長。
全球存儲芯片巨頭SK海力士和$美光科技 (MU.US)$近日均表示，其2024年的高帶寬內存已全部售罄，而2025年的庫存也接近枯竭。晨星(Morningstar)股票研究主管Kazunori Ito在一份報告中表示：“我們預計2024年全年整體存儲芯片供應將保持緊張。”
高性能存儲芯片在訓練大型語言模型(LLM)中起着至關重要的作用。在大型語言模型的訓練中，高性能存儲芯片負責記憶與用戶對話的詳細信息和偏好，從而生成類似人類的回應。然而，由於這些芯片的製造工藝複雜，提高產量一直是一項挑戰。
納斯達克IR Intelligence的主管William Bailey警告稱：“這些芯片的製造過程更爲複雜，提高產量一直很困難。這可能會在2024年剩餘時間和2025年大部分時間造成短缺。”市場情報公司TrendForce在三月份表示，與個人電腦和服務器中常見的DDR5內存芯片相比，高帶寬內存的生產週期要長1.5到2個月。
在$微軟 (MSFT.US)$、$亞馬遜 (AMZN.US)$和$谷歌-A (GOOGL.US)$等大型科技公司紛紛投入巨額資金用於訓練自己的大型語言模型以保持競爭力的情況下，人工智能芯片的需求進一步增長。這些大公司已成爲人工智能芯片的大買家。它們表示，將繼續投入資源建設人工智能基礎設施，這意味着對包括高帶寬內存在內的人工智能芯片的需求將持續保持旺盛。
爲了滿足市場對高性能存儲芯片激增的需求，SK海力士已經宣佈計劃在美國印第安納州投資先進的封裝設施，並在韓國本土擴大產能。與此同時，三星也表示將大幅增加其高帶寬內存的供應量。在今年4月的第一季度業績電話會議上，三星透露其2024年的高帶寬內存供應量將比去年增長三倍以上，並計劃在2025年繼續以每年至少兩倍的速度擴大供應。
此外，在這場人工智能熱潮中，芯片製造商們正在努力生產市場上最先進的存儲芯片，力圖在這場技術競賽中搶佔先機。SK海力士提出了在2026年推出HBM4的藍圖，三星電子計劃在2025年推出HBM4產品。不過，儘管芯片製造商們正在努力提高產量和技術水平，但高性能存儲芯片的供應緊張局面可能仍將持續一段時間。