Navitas Semiconductor - パイプラインとテクノロジー

私たちのポートフォリオでは、中立の株式を保持しています。 $ナビタス セミコンダクター(NVTS.US)$株式は弱気のセンチメントを経験しているのに、私はなぜ楽観的なのか強調したいと思います。これまでに私たちが話した収益を超えて、今年35％から70％の範囲で印象的な利益を実現する可能性があると信じている理由を思い出しましょう。私の意見ですが！

Navitas Semiconductorは、純粋なプレイ半導体企業であり、革新的な電力管理製品の開発・製造に特化しています。彼らは、様々なアプリケーション向けの超効率的な窒化ガリウム（GaN）半導体の作成に重点を置いています。Navitas Semiconductorに関するいくつかのキーポイントは以下のとおりです。

-ワイドバンドギャップ半導体：GaNは、従来のシリコン（Si）に比べて高い電子移動度と高速スイッチング速度を実現する広帯域ギャップ半導体材料です。この性質は、高周波および高電力アプリケーションに理想的です。

-効率：GaNデバイスは、導電損失が低く、エネルギー効率が高くなります。彼らは、低い電力消費量を維持しながら、より高い電圧と電流を処理することができます。

-ミニチュア化：GaNデバイスは、優れた性能特性により、Siの代替品よりも小型で軽量化できます。

-高速スイッチング：GaNトランジスタは急速にオン・オフできるため、効率的な電力変換が可能になります。

Navitas SemiconductorのGaN Safeプラットフォームは、高い保護力を持つGaNパワー半導体です。それは、効率、パワー密度、信頼性が重要な要求される厳しいアプリケーション向けに特別に設計されています。主な機能には以下が含まれます。

インテグレーテッド・ゲートドライブ・コントロール:GaNSafe ICは、ゲートソースループインダクタンスがゼロで、高速スイッチングを最大2 MHzまで信頼性よく実現し、電力密度を最大化します。

高速ショート・サーキット保護:GaNSafeは、競合他社の4倍の50 nsでショートサーキットを検出し、防御します。

ESD保護:GaNSafeは、離散的なGaNトランジスタと比較して、2 kVのESD保護を提供し、堅牢性を高めます。

電圧処理:GaNSafeは、650 Vの連続電圧と800 Vの瞬間電圧を処理できるため、極端な条件下でも生存が保証されます。

コンパクト設計:これらのハイパワーICは、4つのピンのみで構成されており、顧客設計を簡素化しています。

カスタマイズ可能なオン・オフ速度:GaNSafeにより、規制要件を満たすためのオン・オフ速度の調整が可能になります。 🚀🔌

Navitas SemiconductorのGaNSafeテクノロジーは、効率性、信頼性、および安全性を高めることで、AIベースのデータセンターに重要な利益をもたらします。 さあ、どのようにしてそれが実現されるかを探ってみましょう。

GaNSafeは、要求の厳しいアプリケーション向けに設計された世界クラスのGaNパワーセミコンダクタープラットフォームです。

それは、効率、電力密度、および信頼性の組み合わせです。これらの要素は、データセンターにとって重要な要素です。

利点には次のものがあります。:

効率:GaNSafeは最大40％のエネルギー削減を提供します。

-信頼性：過酷な高温条件下で安定した稼働を確保します。

-安全性：強化された保護機能によりリスクを最小限に抑えます。

要するに、Navitas GaNSafeは最新のGaN技術を用いてAIベースのデータセンターを革新し、より迅速かつ効率的で信頼性の高い電力供給を実現します。それにもかかわらず、ウォールストリートはこの高いポテンシャルを見逃しています。AIベースのデータセンターで最大40％のエネルギー削減効果をもたらす可能性があるという点にも注目すべきです。注目すべきは、最近SamsungがNavitasと提携してGalaxy S24およびS24 +の充電器を供給したことです。今後、Googleやアップルも提携する可能性があるでしょうか？

乾杯