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芯联集成获得发明专利授权:“半导体器件及其制作方法”

芯聯集成獲得發明專利授權:“半導體器件及其製作方法”

證券之星 ·  05/10 14:04

證券之星消息,根據企查查數據顯示芯聯集成(688469)新獲得一項發明專利授權,專利名爲“半導體器件及其製作方法”,專利申請號爲CN202311763818.4,授權日爲2024年5月10日。

專利摘要:本發明提供一種半導體器件及其製作方法,所述製作方法包括:提供包含第一區域與第二區域的襯底;在第二區域的SGT結構及襯底上形成保護層,同時在第一區域的部分襯底上形成臺階氮化層;在第一區域形成柵極,柵極覆蓋部分臺階氮化層以及部分襯底;在第一區域與第二區域形成層間介質層,層間介質層覆蓋保護層、柵極以及襯底。本發明採用臺階氮化層代替現有技術中的臺階氧化層,氮化層的介電常數大於氧化層的介電常數,在保證柵極與襯底的隔離效果的前提下,氮化層的厚度可以小於氧化層的厚度,採用臺階氮化層從而能夠降低臺階的高度,從而能夠同時滿足SGT與BCD對層間介質層的厚度需求,提高了器件的性能。

今年以來芯聯集成新獲得專利授權25個,較去年同期增加了25%。結合公司2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了15.29億元,同比增82.25%。

數據來源:企查查

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