證券之星消息，根據企查查數據顯示芯聯集成（688469）新獲得一項發明專利授權，專利名爲“半導體器件及其製作方法”，專利申請號爲CN202311763818.4，授權日爲2024年5月10日。
專利摘要：本發明提供一種半導體器件及其製作方法，所述製作方法包括：提供包含第一區域與第二區域的襯底；在第二區域的SGT結構及襯底上形成保護層，同時在第一區域的部分襯底上形成臺階氮化層；在第一區域形成柵極，柵極覆蓋部分臺階氮化層以及部分襯底；在第一區域與第二區域形成層間介質層，層間介質層覆蓋保護層、柵極以及襯底。本發明採用臺階氮化層代替現有技術中的臺階氧化層，氮化層的介電常數大於氧化層的介電常數，在保證柵極與襯底的隔離效果的前提下，氮化層的厚度可以小於氧化層的厚度，採用臺階氮化層從而能夠降低臺階的高度，從而能夠同時滿足SGT與BCD對層間介質層的厚度需求，提高了器件的性能。
今年以來芯聯集成新獲得專利授權25個，較去年同期增加了25%。結合公司2023年年報財務數據，2023年公司在研發方面投入了15.29億元，同比增82.25%。
數據來源：企查查
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