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$納微半導體 (NVTS.US)$ 納微半導體支持英偉達下一代AI工廠計算平台的800VDC電源架構
3分鐘前,東部時間下午4:36
通過全球新聞通訊社發佈
加利福尼亞州託倫斯,2025年10月13日(環球新聞社)——納微半導體(納斯達克:NVTS),下一代GaNFast™氮化鎵(GaN)和GeneSiC™碳化硅(SiC)功率半導體的行業領導者,宣佈在其開發用於英偉達下一代AI工廠計算平台所採用的800伏直流電源架構的中高電壓GaN和SiC功率器件方面取得進展。

隨着『AI工廠』的出現,爲大規模同步人工智能(AI)和高性能計算(HPC)工作負載量身定製的一類新型數據中心帶來了一系列電力挑戰。傳統的依賴傳統54V機架內配電的企業和雲數據中心已無法滿足當今加速計算平台所需的數兆瓦級機架密度。這些挑戰需要從根本上改變架構。

800伏直流電配電提供以下優勢:

通過減少電阻損耗和銅使用提高效率
可擴展的基礎架構以高度緊湊的解決方案提供MW級別的機架供電能力
與IEC的低壓直流電(LVDC)分類(≤1,500 VDC)保持全球一致性
通過高效的熱管理簡化電力分配

800伏直流電架構使得數據中心電力室或周邊能夠直接從13.8千伏交流公用電力轉換至800伏直流電。通過利用固態變壓器(SST)和工業級整流器,這種方法消除了多個傳統的AC/DC和DC/DC轉換階段,從而最大化能源效率,減少損耗,並提升整體系統可靠性。

800伏直流配電直接爲IT機架供電,消除了額外的交直流轉換階段的需求,並通過兩個高效的直流-直流轉換階段(800伏直流降至54伏/12伏直流,然後降至負載點GPU電壓)來驅動先進的基礎設施,例如英偉達Rubin Ultra平台。
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