存儲芯片股反彈：摩根士丹利認爲今日漲勢背後是供應短缺的加劇

美國半導體股票在經歷了一週的大舉拋售後，今天出現了大幅反彈， $美光科技 (MU.US)$ 和 $SanDisk Corp (SNDK.US)$ 存儲芯片相關股票領漲，從近期的下跌中反彈。

此次反彈不僅受到宏觀消息的推動，還得益於摩根士丹利意外發布的看漲北美存儲器報告——這一報告直接反駁了過去幾輪主導市場的悲觀論調。投資者此前一直在爲「資本支出泡沫」和存儲器上行週期即將到來的峰值定價，卻突然發現自己正面臨一個截然不同的局面： 供應危機正在惡化，而非好轉。

分析師將 DDR5 DRAM短缺描述爲一場「危機」 ——這種市場中「產品即使出高價也無法買到」。NAND尚未達到緊急水平，但摩根士丹利仍看到從消費級存儲到數據中心閃存的廣泛緊縮趨勢。這不是典型的週期尾聲語言；而是行業落後的詞彙表徵。

時間節點很重要。存儲股曾因投資者看到三星、SK海力士和美光都發出資本支出增加的信號而遭到大幅拋售，並將其解讀爲週期性頂部的經典標誌。

然而，摩根士丹利持相反觀點： HBM（高帶寬內存）的晶圓強度極高，加之超大規模AI部署的速度，導致供應出現如此巨大的缺口，即使激進的資本支出也無法在幾個季度內填補。簡而言之，支出只是應急措施——工業版的往裂縫裏不斷灌注混凝土。

亞洲的實地調查進一步證實了這一點。儘管一家PC代工廠最近堅稱「存儲器不是問題」，研究團隊報告指出 全行業庫存遠未達到充足水平，而且新合同現在附帶 多季度價格上漲和未能接貨的嚴厲處罰條款。這是一個決定性的權力轉移：從買方設定條款到賣方主導條款。

至於中國，即使YMTC積極擴張，也難以對全球供需平衡產生有意義的影響。NAND供應的缺口實在太大；中國產量增加幾個百分點無法改變全面短缺的大趨勢。美光退出中國主要市場領域進一步限制了競爭壓力。

這形成了一個不同尋常的估值背景。美光目前的市淨率接近 4倍，但摩根士丹利預計其 賬面價值到2026年底將增長60% ——即使市盈率壓縮，這也提供了內置的安全邊際。隨着美光和閃迪同時獲得 CY26財年每股收益兩位數上調 ——分別上調15%和20%——該機構將目標價上調至 338美元（MU） 和 273美元（SNDK），重申對兩者的 超配 評級，並將美光科技列爲 首選投資標的.

摩根士丹利顯然在這場存儲芯片週期中脫穎而出， 成爲這一趨勢的領頭羊。.

自2025年9月初以來，該公司是首批從防禦性立場轉向對DRAM和NAND持明確看漲態度的公司之一，將供應趨緊與人工智能基礎設施熱潮聯繫起來。
它發佈了一系列越來越堅定的報告， 從《存儲超級週期——人工智能浪潮推動所有船隻》 到 “《存儲超級週期——人工智能浪潮推動所有船隻》” 9月下旬至 “存儲器–2026年對比超級週期” 10月中旬，然後 “存儲器–最大定價權” 11月10日的報告，以及最終的11月24日的報告 “由於短缺加劇，提高對MU和SNDK的預期/目標價” .