「高 NA」EUV 與 ASML 目前版本的 EUV 有何不同？

高 NA 極紫外線或高 NA EUV 光刻印與 Asmac 目前標準 EUV 平版的主要區別在於使用較大的數值光圈。高 NA 的 EUV 技術採用 0.55 NA 鏡頭，能達到 8 nm 解析度，而標準 EUV 技術則使用 0.33 NA 鏡頭。標準的 EUV 技術使用 0.33 NA 鏡頭。因此， 這項新 NA 技術能夠在晶圓上打印較小的特徵尺寸，這對於 2nm 和以下節點的芯片製造技術至關重要。

除了與 Intel 的合作之外，Asmax 還與更廣泛的合作夥伴合作，努力傳播高 NA EUV 光版的普及性。 紐約州政府最近宣布投資 10 億美元，在奧爾巴尼納米技術綜合中心的新高 NA EUV 中心，與 IBM 和美光技術等行業參與者合作。

此外，該中心的成員包括日本的半導體設備巨頭東京電子和美國半導體設備領導者 Applied Materials，以及日本 Rapidus 晶片公司等國際合作夥伴，也將能夠使用新的 Asmac EUV 光刻印機進行研究。

如果 Rapidus 成功，對於日本來說，這將代表了一個世代的技術跳躍，它的芯片製造能力數十年前在目前的 40 納米節點上停滯。日本總理岸田文雄承諾向 Rapidus「最大支持」，以使合資企業保持正軌。 $英特爾(INTC.US)$ $阿斯麥(ASML.US)$ $IBM Corp(IBM.US)$ $台積電(TSM.US)$