光刻大师说，限制台积电有利于中芯国际，多图案的成本高得令人望而却步

在中美紧张局势持续的情况下，华为体现了其在没有EUV设备的情况下制造7nm芯片的能力，芯片大师Burn Lin认为，华为实现这一里程碑并不奇怪， 但是在 DUV 设备上制造具有多图案的 5nm 芯片将非常昂贵。

创新浸入式光刻技术的台积电前研发副总裁Burn Lin告诉集成电路广播公司，他已经预见到2022年中芯国际可以像台积电一样使用DUV设备实现7纳米。但是， 他说，使用DUV设备制造5nm芯片至少需要四倍图案化——这一过程既耗时又昂贵，并且由于难以自我校准，会影响产量和速度。

林说，28纳米平台不涉及沉浸式DUV设备上的多重图案化，使其成为最具成本效益的芯片制造工艺。但是， 他说，对于28nm及以下的工艺，需要双层、三重或多重图案化，这使得它们既耗时又昂贵。 例如，能够以每小时 250 个晶圆的速度进行单次曝光的设备可以以该速度的一半进行双次曝光，依此类推。 $台积电(TSM.US)$ $纳斯达克综合指数(.IXIC.US)$ $英伟达(NVDA.US)$