关键要点(AI生成)
财务表现
- 第一财季营收达到87亿美元,环比增长12%,同比增长84%
- DRAM业务营收为64亿美元(占总收入的73%),同比增长87%,环比增长20%
- 毛利率为39.5%,环比提升300个基点,营业利润率为27.5%
非GAAP摊薄每股收益为1.79美元,而上一季度为1.18美元
业务亮点
数据中心收入同比增长超过400%,首次占总收入的50%以上
高带宽存储器(HBM)出货量超出计划,HBM收入环比翻倍并扩展至多个客户
在数据中心固态硬盘(SSD)和整体固态硬盘市场中创下市场份额新纪录
完成了《芯片法案》协议,获得高达61亿美元的先进DRAM制造奖励
财务指引
第二财季收入指引为79亿美元±2亿美元,毛利率为38.5%±100个基点
第二财季每股收益(EPS)指引为1.43美元±0.10美元,2025财年净资本支出约为30亿美元
预计2025财年高带宽存储器(HBM)和数据中心固态硬盘(SSD)收入将达到数十亿美元
预计2025财年将实现正自由现金流和显著改善的盈利能力
机会
高带宽存储器(HBM)市场预计将从2024年的160亿美元增长4倍,到2030年超过1000亿美元
- 将高带宽内存(HBM)的市场规模(TAM)预测从此前的250亿美元上调至2025年超过300亿美元
- 受人工智能驱动,数据中心应用领域对内存密集型工作负载的需求增长
- 随着2025年10月Windows 10生命周期结束这一催化剂,AI PC的普及将需要更多DRAM容量
风险
- 客户库存减少更加显著,影响了第二财季的比特出货量展望
- NAND行业状况弱于预期,持续的库存调整正在影响利润率
- 来自中国供应商在传统技术节点(如DDR4和LP4)上的竞争加剧
- NAND减产预计将在第三财季进一步影响毛利率,超出第二财季的影响
完整记录(AI生成)
操作员
感谢各位耐心等待,并欢迎参加美光科技2025财年第一季度财务电话会议。此时,所有参会者处于只听模式。发言人演示结束后将进入问答环节。若要在本次环节提问,请按电话上的*11键。如果您的问题已得到解答并希望退出队列,只需再次按*11键。提醒一下,今天的会议正在录制中。
现在,我很荣幸地介绍今天的主持人,Satya Kumar,公司副总裁兼投资者关系与财务主管。请继续,先生。
Satya Kumar
谢谢大家,欢迎参加美光科技2025财年第一季度财务电话会议。今天与我一同参加会议的是我们的总裁兼首席执行官Sanjay Mehra以及我们的首席财务官Mark Murphy。本次电话会议正通过我们的投资者关系网站investors.micron.com以网络直播形式进行,包括音频和幻灯片。此外,详细说明我们季度业绩的新闻稿已经发布在网站上,并附有本次电话会议的准备发言稿。
今天讨论的财务结果是以非GAAP财务基础呈现的,除非另有说明。GAAP与非GAAP财务指标的对账信息可以在我们的网站上找到。我们鼓励您在本季度中访问我们的网站 micron.com,获取公司最新信息,包括我们可能参加的财务会议相关资料。您也可以在X平台(原推特)上关注我们:Micron Tech。
提醒一下,我们今天讨论的内容包含有关市场需求与供应、市场价格和成本降低、趋势和驱动因素、我们的生产计划、AI等发展技术的影响、产品推广计划、技术和市场地位、未来产品的预期能力、预估结果和指引以及其他事项的前瞻性陈述。这些前瞻性陈述受风险和不确定性的约束,可能导致实际结果与今天所做的声明存在重大差异。
我们建议您参考我们向美国证券交易委员会(SEC)提交的文件,包括我们的10-K表、10-Q表及其他报告和文件,以了解可能影响我们未来结果的风险讨论。尽管我们认为这些前瞻性陈述中的预期是合理的,但我们无法保证未来的业绩、活动水平、表现或成就。我们没有义务根据实际结果更新任何前瞻性陈述。现在,我将电话转交给Sanjay。
Sanjay Mehra
感谢您,Satya。大家下午好,我很高兴地报告,美光科技在第一财季实现了创纪录的收入,收入、毛利率和每股收益(EPS)均达到或超出了我们的指导范围的中点。数据中心收入同比增长超过400%,环比增长40%,达到创纪录水平,其中数据中心收入占比首次超过了美光总收入的50%。
我们在数据中心固态硬盘(SSD)方面取得了创纪录的收入,并在数据中心SSD和整体SSD市场份额中创下新高。我们的高带宽内存(HBM)出货量超出计划,HBM收入环比增长了一倍多。来自我们最大的数据中心客户的收入约占公司总收入的13%。
在未来几年内,高带宽内存(HBM)市场将展现出强劲的增长势头。到2028年,我们预计HBM市场规模将在2024年的160亿美元基础上增长4倍,并在2030年超过1000亿美元。我们对2030年HBM市场的预测甚至将比整个DRAM行业(包括2024年的HBM)还要大。这一HBM增长对于美光科技来说将是变革性的,我们对在这一重要产品类别上的行业领先地位感到兴奋。
前沿DRAM供应仍然紧张,这主要是由数据中心DRAM(包括HBM)的强劲需求推动,这将在2025财年和日历年支撑我们的业务成果。此前,我们曾分享过预期,即消费者导向领域的客户库存减少和季节性因素将影响第二财季的比特出货量。我们现在看到客户库存减少带来了更加显著的影响。因此,我们对第二财季比特出货量的展望比之前预期的要弱。
我们预计这一调整期相对较短,并预期客户的库存将在春季前恢复到更健康的水平,从而在2025财年和日历年的下半年实现更强的比特出货量。我们将按计划实现HBM目标,同时在2025财年实现大幅创纪录的美光收入、显著改善的盈利能力以及正自由现金流。
我们的技术路线图进展非常顺利,目前已经在业内最先进的DRAM和NAND节点投入生产。我们继续提升支持HBM 3E的一贝塔(1β)技术节点的产能,并准备在2025年推出使用EUV技术的一伽马(1γ)技术节点。在NAND领域,我们通过业内领先的G8和G9节点保持技术领先地位,并按照需求逐步管理这些节点的扩产。
我们预计2025财年DRAM前端成本削减(不包括HBM)将达到中高个位数百分比范围。我们预计2025财年NAND前端成本削减将在低十几个百分点的范围内。本月初,我们与美国商务部达成最终协议,根据《芯片与科学法案》获得高达61亿美元的奖励,以支持爱达荷州和纽约的先进DRAM制造工厂。
此外,我们已与美国商务部就弗吉尼亚州的晶圆厂签署了一份初步条款备忘录,将获得高达2.75亿美元的资助,该工厂支持汽车、工业、航空航天和国防等领域的长生命周期芯片生产,并提高我们全球晶圆厂网络的效率。
在新加坡政府的支持下,我们已经敲定计划,通过投资新建一个HBM先进封装设施来扩展我们在新加坡的制造基地。这项投资使我们能够从2027年开始大幅扩大我们的总先进封装能力,以支持由AI驱动的需求,并与我们在新加坡的现有业务形成协同效应。这些计划还包括对我们长期NAND制造需求的支持。
现在来看我们的终端市场,随着训练模型规模持续增加以及推理模型不断演变以应对不同的使用场景,多项技术进步正在推动AI能力的边界。多模态模型、后训练和链式思维推理代表了创新的新前沿领域,所有这些都对内存要求较高,并能从更高的内存带宽和容量中受益。AI代理将变得越来越强大,调整垂直市场、消费级和企业级应用场景,从而推动AI的加速变现。
美光科技在利用这一长期增长机会方面处于极其有利的地位,这有可能彻底改变我们的业务动态。我们上调了服务器单元增长率预估,并预计在2024年日历年内,增长率将达到低十几个百分点,主要受强劲的AI需求及稳健的传统服务器更新周期推动,同时我们预计2025年服务器单元将继续保持增长。
美光科技在第一财季的数据中心总收入及其营收占比均创下了新纪录。我们高容量DRAM产品组合(包括单片128GB DIMM和基于LP5的服务器DRAM产品)继续受到强劲需求,并有望在2025财年实现数十亿美元的收入。
我们在HBM领域取得了显著进展,在本季度内实现了收入环比翻倍以上,并因在良率和产能提升上的出色执行而超越了预期计划。在第一财季,我们的HBM毛利率显著提升了DRAM和整体公司的毛利率。我们自豪地宣布,美光科技的HBM3E8I已设计进入英伟达的Blackwell B200和GB200平台。美光科技的HBM3E在全速运行的同时继续保持能效领先地位。
本月,我们开始向我们的第二家大型HBM客户进行大规模出货,并将在下一季度向第三家大型客户启动大规模出货,进一步拓展我们的HBM客户群。我们领先的客户对美光科技HBM3E12的最佳功耗表现给予了积极反馈,其功耗比竞争对手的HBM3E8高出20%更低,同时美光的产品还提供了高出50%的内存容量以及行业领先的性能。
我们提高了HBM市场的TAM预测,预计到2025年将超过300亿美元,我们仍预计在2025年下半年的日历年度内,HBM市场份额将达到与我们整体DRAM市场份额相当的水平。正如我们之前所说,我们的HBM在2025年的订单已满,且这段时间内的定价已经确定。在2025财年,我们预计将产生数十亿美元的HBM收入。
我们对美光科技在本十年剩余时间内的HBM领导路线图感到兴奋。利用在成熟的1β工艺技术上持续投资打下的坚实基础,我们预计美光科技的HBM4将保持上市时间和能效领先,同时相比HBM3E性能提升超过50%。我们预计HBM4将在2026年实现大规模量产。
HBM 4E的开发工作正在与多个客户顺利进行,该产品将紧随HBM 4之后推出。HBM 4E将会通过引入一个选项来实现内存业务的范式转变,即基于台积电的先进逻辑制造工艺为某些客户定制逻辑染料。我们预计这种定制能力将基于我们的客户设计品牌及与客户、行业推动者以及像台积电这样的关键技术合作伙伴建立深度合作的成功,从而提升美光科技的财务表现。
我们期望成为HBM的主要供应商,拥有最稳健、最受信赖且行业领先的技术路线图和执行记录。美光科技还在数据中心领域引领了LPDRAM的应用,采用英伟达的Grace CPU。美光的LP 5X提供了超过500GB的容量和每秒超过540GB的内存带宽,因此为AI平台提供了极具吸引力的每瓦性能。
英伟达的Grace CPU利用美光的LP 5X为系统提供额外的缓存一致性内存,以补充HBM,满足不断增长的AI工作负载的内存需求。我们在整体SSD和数据中心SSD收入方面在第一财季创下了新的季度收入记录,并且有望在2024年日历年再次实现市场份额的增长。
我们继续加强数据中心SSD产品路线图,依托领先的G8 NAND技术和垂直整合的优势。我们推出了6550 Ion SSD,这是业界最快的60TB SSD,也是业内首款具备Gen 5能力的大容量产品。相比竞争对手,美光的6550 Ion SSD功耗降低了20%,同时性能提高了60%,并且对于百亿亿次级数据中心而言,机架密度提升了67%。
我们的9550 PCIe Gen 5数据中心SSD已被列入英伟达GB 200 NBL 72系统的推荐供应商名单,相较于竞争产品,其吞吐量高出34%,每TB数据传输能耗降低80%以上。我们预计在2025财年,数据中心SSD收入将达到数十亿美元,并且在2025年日历年再次提升我们的市场份额。
转向PC市场,PC更新换代周期正在逐步展开,我们预计2024年日历年PC出货量的增长将趋于平缓,略低于之前的预期。我们对AIPC(人工智能个人电脑)的长期采用保持乐观。入门级PC需要至少16GB的DRAM,而高端细分市场则需要24GB或更多,相比之下去年平均PC的DRAM含量为12GB。
Windows 10将于2025年10月停止支持,加之老旧的安装基础,这将成为推动2025年PC市场增长的催化剂。我们预计2025年日历年PC市场单位出货量将增长中等个位数百分比,增长动力集中在下半年。
转向移动市场,2024年日历年的智能手机出货量预计将增长中等个位数百分比,我们预计2025年的增长率将维持在低个位数百分比,均符合我们之前的预期。随着本地搜索和情景感知用户界面等应用的增加,AI采用继续成为推动移动DRAM内容增长的强大驱动力。
DRAM内容增长在CQ3表现强劲,配备8GB及以上内存的智能手机占比已超过60%,较一年前显著提高。智能手机客户的库存动态如预期发展,我们预计比特出货量将集中于本财年下半年。美光继续专注于移动市场的高端部分,利用我们在DRAM和NAND产品组合中的行业领先地位,支持最具挑战性的应用,这将要求更高的内容、高性能和电源效率。
至于汽车市场,低于预期的汽车产量以及从高端车型和电动车转向经济型车型的趋势,减缓了内存和存储内容的增长,并导致OEM厂商进行库存调整。然而从长期来看,我们仍对ADAS、车载信息娱乐系统以及自动驾驶领域的AI采用所带来的内存和存储内容的长期增长持乐观态度。工业市场需求继续受到库存调整的影响,我们预计这一市场将在2025年晚些时候复苏。
现在来看我们的市场展望,我们预计行业DRAM比特需求增长在2024年日历年将达到高十几的百分比范围,在2025年日历年将达到中十几的百分比范围。我们认为整体2025年DRAM行业的比特供应将与比特需求大致保持一致,前沿节点的紧张主要由行业内的高带宽存储器(HBM)供应增长驱动。
我们对2024年和2025年NAND比特需求增长的展望目前是在低两位数的百分比范围内,低于我们之前的预期。主要原因包括消费设备中的存储容量增速放缓、持续的库存调整以及不同终端市场需求动态的变化,同时短期内数据中心固态硬盘(SSD)采购需求有所缓和。
在经历了数据中心几个季度的快速增长后,我们对长期需求增长依然充满信心,因为NAND是支持人工智能工作负载的关键技术,能够提供更快的数据访问速度、更低的能耗和更好的总体拥有成本,这对AI基础设施至关重要。未来几年,我们也预计高容量NAND SSD将开始取代数据中心中的大容量机械硬盘(HDD),这一转变将成为推动NAND长期需求的重要驱动力。
2024年和2025年NAND需求增长展望的下降表明需要采取供应端措施以实现供需平衡。正如之前提到的,由于NAND技术转型会显著提升整体比特输出,技术转型的步伐也需要放缓,以便使供应与行业需求保持一致。
美光科技正在果断采取行动,使我们的NAND供应与行业需求趋势相匹配。我们已减少相对于原计划的NAND资本支出,并放慢了技术节点转换的步伐。此外,我们还将在原有水平基础上减少NAND晶圆启动量,幅度为十几个百分点。这些措施将使我们的供应与当前市场需求相符。
与分析师报告一致,我们在2024年日历年观察到基于中国的DRAM供应商和基于中国的NAND供应商在传统技术节点上的比特供应增加。分析师报告指出,来自中国供应商的供应将占DRAM行业比特供应的中个位数百分比,而在NAND领域竞争则占高个位数百分比。
供应集中在满足中国市场需求,DRAM方面主要是DDR4和LP4产品,NAND方面则是面向消费者的客户端和低性能移动产品。我们预计美光科技在2025财年剩余时间里与LP4和D4 DRAM产品相关的全球收入约为10%。我们预计美光科技对中国总部客户的销售将集中于高端客户群体,利用我们的技术与产品领导地位,满足客户对性能和质量的要求。
接下来我将把话交给Mark,他将为大家讲解我们的财务业绩及展望。
马克·墨菲
感谢您,Sanjay,大家下午好。美光科技在第一财季实现了营收和毛利率均达到指导范围的中点,每股收益(EPS)高于中点。第一财季总营收约为87亿美元,环比增长12%,同比增长84%,创下了新纪录。
第一财季DRAM营收为64亿美元,同比增长87%,占总营收的73%。从环比看,DRAM营收增长了20%,比特出货量增长在低两位数百分比范围内,价格增长在高个位数百分比范围内。DRAM比特出货量的强劲增长主要受数据中心需求驱动。
第一财季NAND营收为22亿美元,同比增长82%,占美光科技总营收的26%。环比来看,NAND营收下降了5%,比特出货量和价格均在低个位数百分比范围内下降。
现在来看各业务部门的收入,计算和网络业务部门(CNBU)收入环比增长46%,达到44亿美元,目前占总营收的一半以上。CNBU收入创季度新高,主要受云端服务器DRAM需求以及HBM收入的推动,而HBM收入在本季度环比增长了一倍多。
移动业务部门收入为15亿美元,环比下降19%。由于我们的移动客户专注于改善库存状况,我们将供应转向满足数据中心的需求。嵌入式业务部门收入为11亿美元,环比下降10%。汽车、工业和消费类客户继续降低库存水平。
存储业务部门收入为17亿美元,环比增长3%。SBU收入创季度新高,主要受益于数据中心SSD细分市场的创纪录收入。在2025财年,我们预计美光科技来自中国大陆和香港地区总部公司的收入占比(包括直销以及通过经销商的间接销售)将占全球收入的约15%左右。这一比例受到此前提及市场因素的影响,同时也受到2023年5月中国CAC行动的影响。
第一财季综合毛利率为39.5%,环比提升300个基点。毛利率的提升主要得益于DRAM价格上涨、数据中心产品组合改善(涵盖DRAM和NAND),但部分被NAND价格下跌所抵消。第一财季运营支出为10.5亿美元,环比减少3400万美元,并因较低的人力相关成本和持续严格的费用控制而获益。
第一财季我们实现营业利润24亿美元,营业利润率为27.5%,环比提升约500个基点,较去年同期提升48个百分点。第一财季调整后EBITDA为44亿美元,对应的EBITDA利润率高达50.6%,环比提升265个基点,较去年同季度提升31个百分点或35亿美元。
第一财季税费为3.33亿美元,有效税率为14.1%,符合我们的预期指引。非GAAP摊薄每股收益为1.79美元,而上一季度为1.18美元,去年同期每股亏损0.95美元,第一财季EPS位于我们预期指引范围的高端。
再来看现金流与资本开支,第一财季我们的经营现金流约为32亿美元。资本支出为31亿美元,导致自由现金流为1.12亿美元。第一财季期末库存为87亿美元,相当于149天的库存,较上一季度下降9天,主要是由于资产负债表中的DRAM库存减少所致。
季度末,我们持有87亿美元的现金及投资,并在计入未使用的信贷额度后保持了112亿美元的流动性。本季度末,我们的总债务为138亿美元,净杠杆率较低,债务加权平均到期时间为2031年。
展望第二财季,我们预计DRAM比特出货量将环比下降,并预计由于先前提到的影响短期需求的因素,非比特出货量将显著环比下降。我们预计比特出货量将在第二财季后恢复增长,并预计下半财年的比特出货量将强于上半财年。
我们预计第二财季毛利率将受到NAND行业状况的影响,但部分会被高带宽存储器(HBM)和数据中心DRAM的持续增长所抵消。此外,我们预计NAND利用率不足将影响第三财季的毛利率。我们预测第二财季的运营费用约为11亿美元,主要反映了研发支出的计划增加。
我们预计2025财年的运营费用将比之前计划的中十几个百分点有所减少,增幅为低至中十几个百分点。我们将继续优先投资包括HBM在内的研发项目,以利用强劲的增长前景。我们预计在较低出货量的情况下,随着更强的比特出货量,第二财季的库存金额和库存天数将会环比增加。我们预计下半年库存天数(DIO)将有所改善。
我们预计2025财年结束时,DRAM库存将低于目标水平,特别是在第二财季及整个2025财年剩余时间里处于紧张状态。我们估计非公认会计准则税率将在中十几个百分点的范围内。新加坡在第二财季实施全球最低税率后,我们预计2026财年的税率将处于高十几个百分点范围。
我们预计2025财年的净资本支出约为30亿美元。我们将优先投资于1β和1γ技术节点的量产,以及DRAM的绿地工厂投资,这将帮助我们支持HBM和长期的DRAM需求。我们已经削减了NAND资本支出,并谨慎管理NAND技术节点的量产进度,以控制供应。
我们预计2025财年的整体资本支出约为140亿美元±5亿美元。2025财年资本支出的绝大部分将用于支持HBM、设施建设、后端制造以及研发投资。
综合考虑以上因素,我们对第二财季的非公认会计准则指引如下:我们预计收入为79亿美元±2亿美元,毛利率在38.5%±100个基点之间,运营费用约为11亿美元±1500万美元。如前所述,基于大约11.4亿股的流通股,我们预计第二财季的税率将处于中十几个百分点范围。我们预计每股收益为1.43美元±10美分。
总而言之,美光科技将继续审慎且灵活地对待所有支出,包括运营费用和资本投资。我们在DRAM领域进行有纪律的投资,并推动高带宽存储器(HBM)在NAND领域的量产。我们正在迅速果断地采取措施削减资本支出并降低晶圆产量,以维持供应纪律。我们预计在2025财年实现创纪录的收入、显著提高的盈利能力以及正的自由现金流。现在我将话筒交还给Sanjay。
Sanjay Mehra
感谢您,Mark。在2022年投资者日上,我们制定了一个大胆的计划,调整我们的产品组合结构,在2021财年至2025财年间,将高增长和季节性较弱领域的份额从约45%提升至62%。受人工智能解决方案强劲需求的推动,我们在2025财年第一季度已大幅超过这一目标,这也体现了美光科技的技术、产品和制造领导地位。
美光科技目前处于历史上最强的竞争地位,并在行业中所有高利润及战略重要性的产品类别中持续获得份额;同时,我们在DRAM和NAND领域的整体比特份额保持稳定。感谢大家今天的参与。现在我们将进入问答环节。
操作员
好的。我们今天第一个问题来自Cantor Fitzgerald的CJ Muse。请提问您的问题。
CJ Muse
好的,下午好,谢谢您回答我的问题。我想第一个问题是,您能否谈谈是什么让您有信心认为我们将在第二季度看到DRAM和NAND市场的季节性或周期性回升?如果您能提供每个市场的幅度预期,将非常有帮助。
Sanjay Mehra
CJ,我来回答这个问题。正如我们所说,我们的第二财季展望受到面向消费者市场库存调整的影响,当然还有第一季度常见的季节性因素。我们也看到数据中心SSD的采购在经历了几个季度的快速增长后有所放缓。这就是影响我们第二财季展望的因素,我们认为,在春季前后的时段,消费者市场的客户库存将会有所改善。
需要记住的是,像智能手机和PC这些面向消费者的市场的终端销售情况还算可以。更多是因为他们已经积累了库存,因此他们的采购量低于实际销售量。我们在第四季度已经看到了他们的库存有所改善,并且预计在第一季度还将继续改善。所以,到春季前后,我们预计消费者市场的客户库存将会得到改善,这将推动我们下半财年的出货量增长。
当然,对于数据中心SSD我们也有同样的预期。这部分市场有时会表现不稳定,但鉴于AI需求的增长仍在推动数据中心建设,我们预计数据中心存储需求在下半财年也将恢复增长。这就是为什么我们说下半财年将强于上半财年。
CJ Muse
非常有帮助!然后还有一个快速的问题给Mark:您能否再详细说明一下当前指引中NAND装载带来的影响以及是否还存在其他影响?此外,针对2025年全年,有没有一个框架可以帮助我们理解HBM占比增加对收入的促进作用?谢谢。
马克·墨菲
好的,CJ。让我先就第二季度指南提供一些详细信息。首先,受NAND的影响,我们预计第二季度将下降100个基点。如Sanjay所提到的,NAND行业的市场状况比我们预期的要弱,特别是消费市场、PC、智能手机的需求较弱,同时正在进行库存调整。
其次,NAND数据中心SSD的需求量有所放缓,目前正处于消化期,并且我们知道这是高利润业务。这两个因素是主要驱动因素。当然,由于本季度收入指引下降了8亿美元,我们将看到一些固定成本上的不利杠杆效应,但这些成本中并不包括第二季度的装载费用。
因此,这些费用将在第三季度开始对我们产生影响。随着NAND继续在今年第一季度面临挑战性的条件,之后逐步改善,我们的供应反应将对第三季度利润率带来压力,并将一定程度上限制我们扩大第三季度毛利率的能力。
现在已进入第三季度之后,是的,我们的业务你知道的,包括出货量增长,AI驱动的数据中心以及边缘计算带来的增长,还有有利的产品组合效应,比如我们提到过的HBM(高带宽内存)有数十亿美元的规模。此外,整体环境更加向好,尤其是在DRAM领域,我们在先进制程上的库存非常紧张,并且已经表示到年底我们将低于所有目标库存水平。所以,我们认为在第三季度之后,利润率扩大的条件已经具备。
CJ Muse
谢谢。
操作员
谢谢。下一个问题来自瑞银的Timothy Curry。请提问。
蒂莫西·库里
非常感谢。我试图了解下半年收入的增长幅度会有多大。我参考了你们关于资本支出的表述,你们曾说全年收入的中30%多将用于资本支出。如果按照上半年的14%,这比大多数人预期的13.5%要略高一些,因此实际上你们正在增加资本支出。如果用这个数据除以全年收入的中30%多,我得出的大致数字是400亿美元。我不是要求你给出全年指引,只是希望你能提供一些大概的情况,比如下半年和上半年相比的收入变化幅度。
Sanjay Mehra
让我来回答一下财政年度下半年的问题。当然,下半年的增长驱动因素包括消费市场库存改善、数据中心SSD需求回升,以及HBM(高带宽内存)继续保持强劲势头。我们在HBM产品上的地位令人兴奋,并已经告诉过大家,在今年下半年,我们的目标是让HBM市场份额与DRAM市场份额保持一致,目前我们在HBM方面的执行情况非常好。所以,展望下半年,HBM将继续推动我们的收入增长。
还要记住的是,我们已经讨论过智能手机和PC的单位出货量,并且在脚本中为大家提供了关于这些产品在2025年日历年中的相关信息。此外,具备AI功能的智能手机和PC渗透率将逐渐提高,而这些设备通常搭载更多的DRAM容量。因此,所有这些因素——从数据中心到边缘计算,再到消费者库存调整,以及克服第一季度的季节性影响——都将是我们对下半年发货量持乐观态度的主要原因。当然,这也带来了下半年更健康的收入前景。Mark,你可以补充关于资本支出的部分。
马克·墨菲
是的,Tim,我们已经明确表示我们会削减NAND的资本支出。不过,DRAM支出仍将维持较高水平,而且我们之前给出的全年收入占比中30%多的指引,现在看来会接近更高区间,也就是接近40%的销售收入占比。
蒂莫西·库里
明白了,Mark。好的,谢谢。我还想问一下股票回购的问题。上周8-K文件中有关于《芯片法案》的内容,其中提到在前两年只能通过回购来抵消稀释效应。而在第3到第5年期间,才可以加大回购力度来减少股票数量。在更广泛的资本回报框架下,你是如何看待这个问题的?谢谢,Mark。
马克·墨菲
是的,Tim,我们认为这对我们返还资本的能力没有任何实质性限制。我们常规的股息支付不受影响,因此我们仍然会继续派发并逐步增加股息。在头两年,我们能够回购股票以帮助抵消因股权激励导致的股东稀释。而在第3至第5年期间,只要满足某些财务和其他条件,我们的回购操作将不再受到限制。
我们认为这些条件是合理的,它们涉及我们在研发、资本支出、信用评级等方面的投入,这些也是我们正常运营时需要考虑的因素,无论是从股东还是更广泛的利益相关者角度来看都是如此。因此,我们认为在协议下没有实质性的限制。
蒂莫西·库里
好的,谢谢。
操作员
谢谢。我们的下一个问题来自美国银行证券的Vivek Arya。请提问。
Vivek Arya
感谢您接受我的提问。Sanjay,您将HBM Tam上调了大约20%左右。是什么变化促使这一估计增加?另外,我认为您保持了与之前相同的目标份额,尽管我认为您将其更多地转移到了下半年。但瓶颈是什么?为什么您的份额无法更早达到目标水平?是因为在不同产品中推出的问题,还是其他因素改变了Tam的估计?另外,是什么原因导致您的目标更多地集中在下半年,而不是您之前提到的2025年某个时间点?
Sanjay Mehra
我们继续与客户密切合作,评估市场需求,并为您提供更新。不时地,我们会根据与客户的最新估算以及与AI数据中心相关的巨大机会来调整我们的展望。从2025年日历年来看,我们尚未将估算从250亿美元调整到300亿美元,这是由于2025年对HBM的需求和数量增加所推动的。需要注意的是,直到2025年日历年,HBM供应仍然紧张。
关于我们自己的发展势头,我们的势头非常强劲。我们之前曾表示,在2025年的某个时候,我们将实现HBM的市场份额目标,相当于我们在DRAM行业的市场份额。如今,随着2025年的临近,我们正在为您提供更具体的时间细节,并明确指出我们将在2025年下半年实现这一目标。
当然,HBM的提升需要记住,就在不久之前,也就是2024财年第3季度,当Mike,我们已经表明HBM的营收已超过1亿美元。我们的团队在继续提升产能和良率方面做得非常出色,我们在第1财季交付的HBM比计划多,良率也超过了预期,因此我们进展顺利。我们正全力以赴提升产能,朝着成熟的良率迈进,对未来HBM在2024年的机遇充满信心。
我们曾表示,预计在明年即2025年,收入将达到数十亿美元。这是一个巨大的机遇,我们当然期待在此基础上继续推进路线图,把握住这些机会。我们相信HBM 4以及4 E版本将会带来更多机会,特别是在2026年及以后。届时,我们的产品将处于强有力的地位,同时我们将继续保持投资纪律,以捕捉未来的机遇。
Vivek Arya
明白了。作为后续问题,Mark,我想问几个关于毛利率的问题。您预测第二季度销售额会下降,但毛利率只下降了一个百分点。那么是HBM带来的一些顺风因素抵消了一些单位影响吗?如果可以的话,能否量化一下HBM带来了多少提升?另外,我想要澄清一下,您是否说过第三季度的毛利率会高于第二季度,尽管存在NAND不利因素?所以我想知道HBM带来了多少提升?以及根据您之前的说法,第三季度是否会高于第二季度?谢谢。
马克·墨菲
好的,很好的问题。正如我们看到的,第二季度确实从较高比例的DRAM收入(相对于我们整体业务)以及有利的DRAM产品组合如HBM和其他数据中心产品中获得了积极的影响。这些都是第二季度的顺风因素,而且我们认为它们将继续下去。不过,它们会被不利因素尤其是NAND的负面影响所抵消。
然后,正如我刚才在回答CJ的问题时提到的,尽管我们继续看到DRAM带来的正面组合效应,但NAND市场状况要恢复还需要一些时间,可能会延续到本日历年的第一季度。然后我们当然会开始看到数据中心SSD再次增长,从第三季度开始出现销量回升。但即便如此,环境依然较弱。
然后供应响应成本将对第三季度的利润率造成压力,并限制我们在第三季度扩大利润率的能力。不过在第三季度之后,我们预计收入将继续增长,产品组合效应有利,市场环境更加积极,因此我们认为有扩大利润率的机会。
Vivek Arya
谢谢。
操作员
谢谢。我们的下一个问题来自摩根士丹利的Joseph Moore。请提问。
约瑟夫·摩尔
很好,谢谢。我的问题也与高带宽内存(HBM)有关。您怎么看待长期市场份额?考虑到您的一个竞争对手在这方面遇到困难,我们是否应该认为您的DRAM自然份额是一个限制因素?另外,您之前提到过可能因为每瓦性能的优势实现溢价定价。那么现在您还能做到这一点吗?还是说重点仍然在于供应?
Sanjay Mehra
关于HBM市场份额的问题,我们的目标是在2025年下半年使我们的市场份额与行业DRAM份额保持一致,对此我们非常专注。如我所说,我对我们的产品感到兴奋,并且已经收到了很多正面反馈。我们已经强调过,已经开始向第二个大型HBM客户发货,同时我们也提到,在CQ1我们将增加第三个大型HBM客户。所以我们的HBM业务发展势头正在不断增强。
当然这一切都建立在一个强有力的产品基础上,这款产品具有卓越的性能和每瓦性能优势。这当然有助于我们在市场份额方面的动能,帮助我们获得相较于市场上其他公司的溢价定价。我们希望并计划绝对不仅仅在8层堆叠HBM3上利用这一优势,当我们在2025年转向12层堆叠,当然还有在2025年之后,通过HBM4和HBM4E继续依靠产品领先地位来推动我们的动能。
我现在不会具体说明未来的市场份额目标,但当然我们会继续保持专注。我们将持续专注于调整我们的产品组合,整体产品组合朝着行业中更高利润领域转变,同时在管理供需平衡、负责任地管理我们的投资及相关资本支出方面保持严格纪律。
约瑟夫·摩尔
{{|姓名_0|}}:太好了,非常感谢。
操作员
谢谢。我们的下一个问题来自TD Cowan的Krish Shankar。请提问。
克里什·香卡尔
您好,感谢您回答我的问题。之前我已经提过,抱歉再次追问。Sanjay,我想澄清一下,您将2025年的日历年指引从250亿提高到300亿,维持了市场份额,价格和产量保持不变,但交易有所改善。简单来说,如果我们假设三个月前您认为2025年下半年HBM营收达到60亿美元的话,那现在是否可以理解为更接近65亿至70亿美元?这是不是正确估算美光科技在2025年下半年HBM收入的一个合理方式?
Sanjay Mehra
我们不会提供HBM的具体收入数据,只是说明一下,HBM在2025年将为我们带来数十亿美元的收入,并且我们在实现市场份额目标方面进展顺利。至于DRAM市场份额等具体营收数字,我们不再细说,但可以重申的是,这当然是我们增长的重要部分,我们也对HBM的长期潜力感到兴奋。
我们曾分享过,我们认为HBM将在2030年发展为一个超过1000亿美元的市场,而到2028年时,HBM的市场规模将是2024年的四倍。凭借我们强大的产品路线图,我们当然会抓住这一市场中的机会。由于HBM是一个更复杂、更高成本的产品,因此它也带来了更高的价值和更高的平均售价(ASP)。这也使我们在向行业更高利润池转移的目标上占据非常有利的位置。
Krish Shankar
明白了,非常有帮助。然后快速跟进一个问题,Sanjay,你们现在处于HBM 38高的阶段。那么当你们转到12高时,叠层比例会上升。而当你们转向HBM 4时,由于更大的芯片尺寸,叠层比例也会增加。当你们进行这些过渡时,考虑到良率可能会被重置,这对毛利率会不会有负面影响?还是您认为这种过渡将会无缝衔接,不会对毛利率产生任何影响?
Sanjay Mehra
我们之前分享过,HBM 3E的叠层比例约为3,而HBM 4的叠层比例会更高。当然,这些叠层比例的考量适用于整个HBM行业。当我们从8高转到12高时,考虑到产品的复杂性提升,12高肯定会有其自身的良率提升过程,但8高的经验无疑也会对我们未来的生产有所帮助。
我们的团队在提升产品良率方面做得非常出色。所以我确信,当从8高转到12高时,我们的团队同样会在提升12高的良率方面表现出色。所有这些因素当然都会在我们未来实现整体HBM目标的过程中发挥作用。请记住,随着我们从8高转到12高,HBM的整体价值绝对会继续增长。
当然,这为客户提供了更多附加内容的机会,通过每个堆栈内容量的大幅增加——容量提升了50%——他们可以将其附加到GPU或加速器上。总体而言,随着我们从8高发展到12高,再到以后的HBM 4,以及未来可能支持定制化的HBM 4E,HBM的价值将继续增长。
Krish Shankar
谢谢,Sanjay,非常有帮助。
操作员
谢谢。我们的下一个问题来自花旗的Chris Dainley。请提问。
Chris Dainley
嘿,谢谢大家。我想问一个关于DRAM更宏观的问题。如果明年供需平衡,并且目前市场上存在过剩库存,那么市场如何能够表现良好?另外,您提到高端DRAM和HBM属于前沿技术,而且它们的表现不错。您能否具体说明一下什么是前沿技术,它占市场的比例是多少?如果其余市场仍处于供过于求的状态,将会发生什么?
Sanjay Mehra
再次强调,是的,前沿节点供应紧张,不仅HBM供应紧张,LP5、DDR5也都在前沿节点生产,这些产品都面临供应紧张的情况。随着HBM需求增加,我们预计到2025年整个行业对非HBM以及前沿节点的需求压力将更大。因此,前沿技术的前景依然保持供应紧张,需求环境良好,整体DRAM行业的预期也将保持健康。
请记住,我们已经指出,在2025财年中,仅HBM就将带来数十亿美元的收入,同时高密度DRAM和LP5解决方案也将贡献数十亿美元的收入。还要注意的是,这些产品对于AI应用来说是非常重要的。HBM与LP5在许多加速平台中密切配合,以充分发挥AI的潜力。
当然,总体而言,我们认为需求环境健康,正如我们在事先准备的发言中提到的,大部分生产集中于前沿节点,即我们当前的1A和1 Beta节点。到2025年,我们将开始提升1 Gamma节点的产量。
马克·墨菲
是的,Chris,我想补充一点,正如你提到的年底库存问题,我们目前预计DRAM总库存将低于目标水平。
Chris Dainley
明白了。好的,谢谢Mark。然后顺便跟进一个问题,是什么让非尖端DRAM市场重新恢复健康?因为这仍然是你们业务的一部分。
Sanjay Mehra
虽然Kevin当然知道我们的供应组合正在向市场上更需要的产品倾斜,同时我们也在不断调整我们的供应结构。而且,我们的生产更多集中在尖端产品上,与此同时保持资本支出和供应增长的纪律性。
Chris Dainley
明白了。谢谢各位。
操作员
谢谢。今天最后一个问题来自高盛的Toshi Hari。请提问。
Toshi Hari
很好,非常感谢您提的问题。我也有两个问题。第一个问题是关于中国竞争。Sanjay,你提到LP4和DDR4在本财年剩余时间占到你们业务的10%左右。那么你对他们在DDR5和LP5方面的竞争力怎么看?当然不是近期,而是展望未来,比如说接下来的18到24个月,你的看法是什么?以及你们打算如何应对这一挑战?
Sanjay Mehra
所以我们LP4和DDR4的产品组合——我们已经说过,在25财年的剩余时间内约占10%——当然在未来几年还会继续下降。这也意味着老旧节点的比例在未来几年也会继续减少。而中国的竞争主要集中在低端性能产品,针对更多的是中国市场的低端消费领域;但需要注意的是,市场正越来越多地转向高性能产品,尤其是当市场越来越向数据中心应用靠拢时,数据中心的占比持续增加。
这也需要更高的质量要求,而且平台正迅速向先进节点的要求靠拢。所以当你看到这一点时,就会发现那些在尖端节点以及具有高性能、低功耗和高质量的尖端产品方面有着长期积累的公司处于更有利的位置。
我们在国内所看到的竞争更多是在消费类业务的一侧以及更偏向低端市场,然而市场需求正越来越多地转向高端领域,比如数据中心。这也是美光科技凭借我们的技术以及先进的产品路线图专注应对的市场部分。而这正是行业利润较高的领域,也是我们正在调整制造方向的重点所在。
Toshi Hari
很好。我的后续问题是关于高容量企业级SSD的,你提到在接下来几年它们将逐渐取代近线HDD。我知道这是你们长期以来的观点。我只是好奇是否最近有看到任何加速这一趋势的因素?另外,您提到公司在25财年的前端成本下降幅度将在低双位数范围,这个预期与您在驱动器业务中的同行似乎非常相似。所以我想知道,在考虑这种动态时,最近是否有任何变化?谢谢。
Sanjay Mehra
当然,我们继续与客户紧密合作,关键在于SSD所提供的总体拥有成本,而SSD在此方面持续取得显著进展。这涉及到性能、能耗以及占位面积等多个方面,当然,成本也是一个重要的因素。所有这些都转化为总体拥有成本。我们相信未来SSD将再次开始取代HDD,并且我们将在这方面继续与客户紧密合作。
显然,AI将继续成为这方面的主要推动力,正如我们去年所见。强劲的需求——我指去年的时候其实是说今年早些时候,数据中心对于由AI驱动的固态硬盘需求量很大,而且性能、能耗和占用空间等所有要求在未来数据中心中都将不可或缺,从而使得SSD逐步取代HDD。我们认为这是一个到2027年及以后的现象。
Toshi Hari
谢谢。
操作员
谢谢大家。这标志着问答环节以及今天的会议结束。感谢各位的参与。您可以现在断开连接了,祝大家有个愉快的一天。
详情见 美光科技投资者关系
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