美光的盈利能否扭转AI悲观情绪？

$美光科技 (MU.US)$ ，美国存储芯片霸主、全球第三大DRAM和第四大NAND制造商，将于12月17日收盘后发布其2026财年第一季度财报。随着 $甲骨文 (ORCL.US)$ 和 $博通 (AVGO.US)$ 上周已通过财报为市场定调，所有人的目光都集中在美光是否能够扭转市场对AI当前的悲观情绪。

– 收入： 市场共识是 129.2亿美元，同比增长48%，环比增长14%。公司预期为125亿美元。

– GAAP毛利率： 共识是 51%，同比上升12.6个百分点，环比上升5.3个百分点。公司预期为50.5%。非GAAP毛利率： 共识是 51.8%，同比上升12.3个百分点，环比上升6.1个百分点。公司预期为51.5%。

– GAAP净利润： 市场共识为 43.3亿美元，同比增长132%，环比增长35%。公司预期为40.2亿美元。 非GAAP净利润： 共识是 45.7亿美元，同比增长124%，环比增长32%。公司指引为43.1亿美元。

Micron的业务部门包括云存储业务单元（CMBU）、核心数据中心业务单元（CDBU）、移动与客户端业务单元（MCBU）以及汽车与嵌入式业务单元（AEBU）。

本轮周期最大的不同之处在于，HBM正在消耗先进的DRAM产能，导致传统DRAM供应被动收缩，从而使得价格上涨变得更容易。NAND市场也因主要存储厂商优先扩展DRAM而非NAND而面临类似的被动收缩。

然而，目前只有HBM需求具备较高的可见性。Micron管理层在11月的分析师会议上表示，公司2026年的HBM产能已经售罄。上一季度，Micron的HBM收入约为20亿美元。这占其DRAM收入的约22%，占公司总收入的约18%，占比仍然较小。因此，市场担心庞大的非HBM产品细分领域的需求变化，这决定了该类产品价格上涨的可持续性。

在全行业短缺和价格上涨的背景下，三大巨头（SK Hynix、Samsung Electronics和Micron）都选择了在DRAM市场（包括HBM）扩产，而不是NAND。然而，这些公司都认为DRAM和NAND在2026年之前仍将供不应求。由于存储行业长期被视为“周期股”，大家对本次上升周期中的扩产步伐都非常谨慎。

Micron上季度透露，新的HBM/DRAM产能要到2027年才会开始爬坡，这意味着在此之前新增产能有限。关于NAND，管理层尚未发出任何相关的扩产计划信号。

– Idaho ID1:预计将在2027年下半年提升DRAM产量。

– 爱达荷ID2： 预计2028年后实现量产。

– 纽约Clay： 将跟随爱达荷ID2。

– 新加坡HBM封装： 建设进展顺利，预计2027年实现量产。

– 日本工厂： 这是短期内唯一能够释放DRAM产能的设施。然而，上个季度安装了EUV设备用于 1-伽马 节点而非 1-beta 目前用于Micron的HBM3E的节点。因此，到2026年无法释放更多的HBM产能。

如果产能扩张的故事没有很好地传达，市场可能会立即从给予“增长溢价”转变为施加“周期性惩罚”。

在本轮涨价周期之前，Micron的毛利率主要受到HBM增长的拉动，其毛利率高达60%以上。预计本季度毛利率将上升至52%。然而，随着SK Hynix和三星电子的竞争加剧以及HBM4成本显著增加，市场预计整个HBM行业的毛利率水平将持续压缩至60%左右。

回顾Micron 2018财年的超级周期，即使没有HBM业务，传统的DRAM和NAND业务也能够支持整体企业毛利率上升至 61%。在当前周期中，非HBM毛利率有可能再次测试60%以上。如果发生这种情况，HBM业务反而可能拖累进一步的毛利率扩展。

考虑到上周博通的毛利率指引引发的恐慌性抛售，本次报告中管理层对未来毛利率的指引显得尤为重要。上个季度，Micron管理层预测毛利率将继续扩大，并且FQ1和FQ2可以实现环比增长。这次的语气将至关重要。

进入本周的财报发布，Micron期权反映出市场环境紧张，隐含波动率达到72.05%，处于过去一年的第88百分位，表明相对于过去一年，期权价格昂贵。尽管近期价格走势强劲，但看跌/看涨比率为1.26，表明交易员利用192万张未平仓合约的深度流动性来对冲潜在的下行风险，采取了显著的防御性头寸。

由于隐含波动率紧密跟踪71.43%的历史高波动率，市场参与者已经充分计入了价格大幅波动的延续，并且不愿意在催化剂事件前廉价出售波动率。

简而言之，这份美光科技财报的核心关注点在于，HBM锁定和DRAM价格上涨是否能够将毛利率中值稳定在50%以上，同时确保产能扩张的叙事不会引发对供过于求的担忧。

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