ASML 与 X 射线辐射？

为了利用极紫外光的力量并将EUV光刻技术推向市场， $阿斯麦(ASML.US)$ 20多年来一直在研发方面进行投资，以应对不断出现的艰巨技术挑战，它现在已成为全球先进铸造厂的核心设备。诸如此类的公司 $台积电(TSM.US)$ , $三星电子(ADR)(SSNGY.US)$ 和 $英特尔(INTC.US)$ 正在争夺这些光刻机来开发自己的芯片，但是先进技术制裁名单上的某些国家不允许购买这些产品，例如俄罗斯。

ASML开发的光刻机是极紫外线（EUV），波长为13.5 nm，而俄罗斯计划开发光刻机的X射线技术波长在0.01 nm至10 nm之间，比EUV的极紫外线短，因此光刻分辨率要高得多。

俄罗斯对光刻技术的研究可以追溯到20世纪80年代中期，当时俄罗斯开始开发同步加速器X射线辐射源。这项技术显然是由有远见的科学家为满足微电子处理需求而开发的，但计划并未实施。